继存储芯片巨头之一的SK海力士以每份149美元完成265亿美元美股市场ADR发行之后，有消息称韩国另一存储巨无霸三星电子似乎也酝酿通过美国股票发行筹集巨额资金以及打破所谓的“韩国科技公司估值折价”。然而，三星电子的一名代表却表示，目前并未评估发行美国存托凭证的可能性。

此前，有媒体援引知情人士透露的消息报道称，三星电子正处于研究潜在美国存托凭证发行(即美股ADR)的早期阶段。

知情人士表示，这家韩国公司已与银行展开初步讨论，但尚未决定是否推进。由于相关商议属于非公开事项，知情人士要求匿名。他们表示，三星将在作出决定时关注全球存储芯片股票的剧烈波动。知情人士称，如果公司推进赴美上市，其庞大的消费电子业务组合以及反复发生的劳资纠纷，可能会给交易结构设计带来重大挑战。

他们补充称，相关讨论仍处于非常早期阶段，最终可能不会促成上市。

截至周一韩国股市收盘，SK海力士单日创纪录下跌超15%、三星电子下挫逾10%，并拖累韩国KOSPI基准指数暴跌约9%及触发暂停交易。周二韩国KOSPI指数，以及占据该指数50%权重的SK海力士与三星电子股价均实现反弹，在一些持续看好存储芯片板块的华尔街分析师们看来，“芯片周期已经见顶”乃无稽之谈，他们认为存储芯片股票逢低买入机遇正在形成，尤其是SK海力士较高位跌近40%。

韩国政府本周表示将AI基建狂潮驱动的存储芯片繁荣带来的超额税收投入半导体、AI数据中心和物理人工智能(即物理AI)等前沿科技领域，则在很大程度上强化了韩国政府对长期AI算力基础设施建设的大规模政策承诺，有助于稳定与提振围绕三星电子、SK海力士及全球AI算力产业链的资本开支预期，并向市场释放“AI算力产业周期尚未被政策层判定见顶”的积极信号。

SK海力士265亿美元赴美上市引爆示范效应，韩国存储双雄或将竞相争夺全球AI资本

据媒体报道，上述知晓内情的知情人士表示，三星过去曾评估发行美国存托凭证的可能性，但最终决定不予推进;不过，SK海力士公司成功在美国股票市场上市并且有望打破所谓的“韩国科技公司估值折价”，为三星重新审视这一构想提供了新的动力。他们表示，尽管如此，相关讨论仍处于极其早期阶段，目前更多只是评估，而非形成具体计划或委任银行负责此次发行。

作为三星在存储芯片市场的竞争对手，SK海力士上周通过美国上市筹集了265亿美元，成为外国企业在美国进行的史上最大规模上市交易。这笔交易反映出投资者对处于全球人工智能算力基础设施建设核心位置企业的需求，即使市场担忧人工智能供应链估值已经过高，这类企业依然受到追捧。

三星电子在韩国股市的股价今年以来已上涨约120%，推动公司市值突破1万亿美元。相比之下，SK海力士股价同期飙升超200%，市值约为9000亿美元。

韩国股市一直由人工智能推动的存储芯片股强劲上涨所驱动。但极端波动以及对两家超级权重公司的高度依赖，可能意味着屡创新高的韩国股市是一场等待创纪录式破裂的AI泡沫。

三星股价的上涨已经计入了极高的盈利增长预期。上周，三星电子公布的初步业绩似乎超过市场预期，但其股价仍大幅下跌，凸显出满足投资者预期已经变得何其困难。

新增存储芯片产能即将投产的前景也在压制芯片股，因为这可能缓解存储芯片供应紧张，并对价格和利润率构成压力。

上个月，三星集团和SK集团表示，双方计划各自建设两座超大型存储芯片制造工厂，总投资额达到800万亿韩元(大约5360亿美元)，以迅速扩大产能并满足不断增长的需求。韩国政府还宣布，包括互联网领军企业Naver公司在内的企业将投资550万亿韩元，在2029年前建设8.4吉瓦的人工智能数据中心容量。

存储芯片主题暴跌后迎来抄底良机?

韩国政府将存储半导体超级周期带来的税收超预期收入纳入“未来应对基金”，意味着DRAM/HBM/NAND存储芯片已经从单一企业盈利周期，上升为国家资产负债表和产业政策的核心支柱。2027年税收收入预计至少达到500万亿韩元，政府拟编制超过800万亿韩元的史上最大预算，并优先支持半导体、AI数据中心和物理人工智能三大超级项目;这将通过电力、土地、研发、人才、先进封装及区域基础设施降低三星电子和SK海力士扩产的执行成本，形成“芯片盈利—财政增收—产业再投资—扩大AI供给能力”的正反馈循环。

SK海力士单日下跌超过15%、三星电子下挫逾10%，并拖累KOSPI暴跌约9%及触发暂停交易，更接近一次由极端仓位、杠杆资金、利好兑现和盈利预期“二阶导数”下降共同触发的估值清算，而非AI服务器订单突然消失。SK海力士刚完成约260亿美元美国存托凭证融资，上市首日大涨后出现获利回吐，同时投资者开始审视HBM4出货节奏、长期协议价格弹性和2027—2028年供给增长;这使其作为HBM纯度更高的龙头，既拥有最大的结构性盈利弹性，也承受最剧烈的预期回撤。

从技术层面来看，此轮暴跌已将SK海力士推入超卖区间，部分分析师认为短期买入机会正在形成，尤其是SK海力士较高位跌近40%。MRM Research资深分析师Nico Rosti表示，SK海力士股价目前呈现"深度超卖"特征，“再跌一周是可能的，但我们将其视为重大加仓/增持机遇。韩国市场的反弹应会推动ADR更大幅度走高，因此这是一个不错的买入时机。”这位分析师表示。

在美国银行、野村等华尔街巨头以及SemiAnalysis等顶级市场研究机构们看来，这轮全球存储芯片乃至AI算力基础设施投资主题股票普遍暴跌更接近极端预期、极端杠杆化仓位与过度拥挤看涨仓位的集中清算，而不是产业需求突然坍塌。SK海力士美国存托凭证上市后的获利回吐、韩国本土股票与美国存托凭证之间的估值错位，以及杠杆资金集中平仓，共同放大了价格波动。

供给端似乎继续支持存储芯片以及AI算力基建主题中期多头逻辑。美国银行最新发布的研究报告显示，“2028年新增产能仅为原计划六分之一”，即SK海力士至2028年实际可新增的存储芯片产能，可能仅为原计划的六分之一，这一判断不仅令韩国政府的产能扩张蓝图大打折扣，更为正在进行中的DRAM价格操纵集体诉讼提供了关键佐证。这也意味着到2030年的产能增量将远低于韩国总统李在明此前设定的"2030年产能翻倍"目标。

美银预判方向与存储芯片产业规律基本一致：新晶圆厂要经历土地、电力、洁净室、设备安装、客户认证和良率爬坡，旧产线又会因制程升级退出，实际净增晶圆产能远慢于政府公布的投资金额。若新增供给兑现延后，而HBM继续挤占通用DRAM晶圆面积，价格周期便可能比传统存储周期更长;SK海力士首席执行官也公开预计，2027年可能出现行业史上最严重的存储短缺，HBM/DRAM/NAND存储芯片需求甚至可能在2030年以后仍显著高于供给。

SemiAnalysis则预计SK海力士2026年第二季度DRAM综合平均售价(ASP)将环比大涨约45%，DRAM项目营业利润将达55万亿韩元，预计公司营业利润率将达到历史最高位。SemiAnalysis报告明确指出——“Be Greedy When Others Are Fearful”(当别人害怕时要贪婪)，强调尽管近期存储芯片剧烈波动引发投资者担忧，SK海力士及其他头部存储企业“仍是半导体行业中风险收益比最具吸引力的标的之一”。

野村是目前最激进的看多存储芯片板块的大型金融机构。野村在近日发布的一份研究报告中，将三星电子目标价从59万韩元上调至67万韩元，将SK海力士目标价从400万韩元上调至470万韩元，对应潜在上涨空间均超过100%，意味着2025年以来股价屡创新高的这两大存储芯片巨头狂飙涨势仍未停歇。

野村的核心看涨逻辑在于，AI已经把存储从传统PC/手机周期品改造成数据中心长期成长资产：智能体AI推理需要巨量键值缓存(KV Cache)，HBM供给显著落后于需求;其预计全球数据中心资本开支将从去年的1.16万亿美元增至2030年的6.13万亿美元，其中内存占数据中心投资比重有望从当前9%升至23%，因此三星与SK海力士约6倍12个月前瞻市盈率明显低估，存在向台积电约20倍估值体系靠拢的重估空间。